计算CUO111表面带隙几乎为零？

科研小龙卷

各位老师好，最近再计算CUO111的表面吸附性质计算。相应的INCAR以及图片已经打包在附件。。我是CUO体块优化的基础上进行切表面计算的，对于体块DOS计算显示明显的半导体性质，并且计算出来的DOS和文件基本一致。计算完成之后，切表面进行优化，体块进行DOS计算时INCAR内容如下（U值是采用文献中做法）：
净磁矩为零，反铁磁性。然后在此基础上进行切表面结构优化，进行单点计算以及读取单点产生的电荷和波函数进行DOS计算 （这里展示的切4层，两层固定两层优化，自己也做过切6层，两层固定四层优化，DOS结果差不多），其中
KPOINTS内容如下：
我自己发现切表面之后O原子自身也具有磁矩，但是整体磁矩基本为零.做出来的DOS如下： 这样的结果导致带隙非常小，我自己做了一些思考，这个表面模型带隙的减小表面模型导致的Cu和O的磁矩变化进而导致在禁带中出现了一些表面态所导致的，不知道是不是这个意思？但是文献中计算带隙虽然相较于体块有减小，但是也明显看出半导体性质，我自己算的感觉几乎成导体了，后面计算计算的吸附模型就更糟糕了
（DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b10431）。。。所以想要和文献中的那样，我应该对参数进行如何更改？谢谢老师