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VASPKIT 1.3.1及以后版本支持基于半经验玻尔兹曼输运理论计算输运性质，当前版本可输出electronic conductivity, Seebeck coefficient, power factor 和electronic thermal conductivity。实现算法见文献【Computer Physics Communications 175 (2006) 67–71】。详细教程见http://vaspkit.cn/index.php/67.html。
采用VASP+VASPKIT计算输运性质步骤如下：######################################################################################################
1) 准备优化好的POSCAR结构，POTCAR文件，静态计算INCAR;
2) 调用vaspkit -task 681产生KPOINTS，注意输运性质计算需要非常密集的K-mesh;
3) 执行VASP计算；
4) 准备VPKIT.in文件（VPKIT.in文件在未来版本中将被重名为INPUT.in），包含以下参数：
1 # 1 for gradient method with constant relaxation time approximation
3D # 2D for slab, 3D for bulk
-2.0 2.0 # Minimum and maximum values of chemical potential (float type, in units of eV), referenced to the Fermi energy
1000 # Number of intervals between the minimum and maximum chemical potential values
300.0 # Temperature (float type, in units of K)
1.0 # Relaxation time (float type, in units of s), Set 1.0 if you don't know the exact relaxation time
0.0 # Desired gap value in scissor correction (float type, in units of V), Zero means make no correction, available only non-spin-polarization calculation
1 # Finite difference method (integer type)
5) 调用vaspkit -task 682计算输运性质。
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作为验证我们选择Si和GaCuS2两个体系，计算结果与Openmx+BoltzTrap得到的结果符合很好（见下图）。欢迎大家跟帖反馈bug及提出改进建议，该功能今后将不断完善和扩充。
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发表于 2021-10-12 11:33:39
发表于 2021-10-12 16:37:09
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