关于含缺陷的supercell的能带反折叠的问题
各位老师好，请教一下有关计算能带及有效质量的问题，我想的是用CdTe的conventional cell （Cd4Te4）构建2*2*2的超晶胞（Cd32Te32），在其中构建空位缺陷，计算相关性质。我的操作步骤如下：
1.以conventional cell （Cd4Te4）为基础构建2*2*2的超晶胞（Cd32Te32），然后删除一个Cd原子，构建POSCAR 文件（Cd31Te32）（进行了结构优化的文件）；
2.运用 vaspkit-303命令得到KPATH.in及PRIMCELL.vasp文件；
3.cp PRIMCELL.vaspPOSCAR ;
4.运用 vaspkit--401命令 创建SC111.vasp文件(Cd31Te32)，这一步主要是为方便创建TRANSMAT（1 0 0 | 0 1 0 | 00 1 ）矩阵文件，当然也可以直接编辑TRANSMAT.in文件（1 0 0 | 0 1 0 | 00 1 ），因为SC111.vasp文件与第3步的POSCAR 相同，所以就不再复制；
5.运用 vaspkit--281命令创建 KPOINTS文件；
6.结合INCAR 文件及POTCAR 文件，运行vasp；
7.vasp运行结束后，运用 vaspkit--282命令分析有效能带.
不知道我的步骤有没有问题，还请您指教一下。
具体步骤如下： vaspkit 发表于 2021-10-8 21:15
具体步骤如下：
您好，按照您在图中所给出的步骤，第一步中的POSCAR是需要是conventional cell或者primitive cell吗？
另外在第5步产生supercell后进行构建缺陷，然后结构优化得到CONTCAR，同时为研究DOS及光学性质等时也使用这一步骤产生的CONTCAR吗？ 不管第一步是conventional cell还是primitive cell，第三步得到的是标准的primitive cell。第5步时可以通过primitive cell和指定TRANSMAT.in生成conventional cell超胞。从primitive cell -> conventional cell的变换矩阵P^-1见下表, 详见【Computational Materials Science 128 (2017) 140–184】。
老师，您好！请问第九步是静态计算还是band（添加LORBIT = 10）计算？ happyrabit 发表于 2021-12-7 09:03
老师，您好！请问第九步是静态计算还是band（添加LORBIT = 10）计算？
静态计算，如果想分析orbital-projected EBS，添加LORBIT = 10/11，增加NBANDS数值 群中老师回复：静态计算，如果想分析orbital-projected EBS，添加LORBIT = 10/11，增加NBANDS数值:victory: 另外老师还推荐了计算变换矩阵的方法：
如果不会计算变换矩阵（TRANSMAT.in文件不存在时），可以执行cp PRIMCELL.vasp PRIMCELL.in，这时vaspkit分别读入超胞基矢（POSCAR）和原胞基矢（PRIMCELL.in）计算变换矩阵并生成TRANSMAT.in文件。 vaspkit 发表于 2021-10-8 21:36
不管第一步是conventional cell还是primitive cell，第三步得到的是标准的primitive cell。第5步时可以通过 ...
请问超胞必须由原胞生成嘛，我用超胞跑完NVT.NVE后想看能带，此时我的POSCAR为超胞，自己写入变换矩阵可以进行能带展开计算嘛
我尝试超胞运行303产生.vasp文件，仍然为超胞
生成的EBS。dat可以直接用orign画图嘛 JingTing 发表于 2021-12-9 12:28
请问超胞必须由原胞生成嘛，我用超胞跑完NVT.NVE后想看能带，此时我的POSCAR为超胞，自己写入变换矩阵可 ...
当然可以，只要确定出变换矩阵。接下来用vaspkit-281产生KPOINTS文件，VASP计算，然后在用vaspkit-282提取EBS。可以用Origin，画法和画投影能带相同。
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