想请教一下vaspkit关于能带计算中CB和VB的定义

TTT

如图所示，图中画虚线的是根据vaspkit输出的BNAD_GAP文件的内容画出的CBM和VBM的位置，用VB来举例，vaspkit是根据什么来确定VBM的位置的呢，是费米能级下面最上面的轨道的最高处就是VBM吗？我是做半导体研究的，假如我认为我标②的那条线是VB，而上面是紧邻VB的shallow trap（浅陷阱），请问这样是合理的吗？可以这么认为吗？

vaspkit

最高占据能级和最低未占据能级，定义非常清晰明了，通过EIGENVAL文件手动也能找出来。