形变势常数计算步骤提问

esar

在计算三维形变势的时候，我自己算的和别人文献里算的差别很大，1s能级会很大部分的抵消掉导带底和价带顶的变化量，导致算出的形变势常数很小，请问我以下的计算步骤有没有哪出问题了，谢谢。

形变势常数计算过程：

1.    对原始晶胞POSCAR在abc三个方向分别施加-0.02，-0.01,0，+0.01，+0.02的形变，

2.    将每个POSCAR分别放到对应文件夹内，并进行结构弛豫（ISIF=2），静态计算以及能带计算（加入ICORELEVEL=1）

3.    通过vaspkit211获取导带顶和价带底，从各OUTCAR获取不同形变对应的芯能级（1s 能级）

4.    将不同形变对应的导带顶和价带底减去芯能级，然后分别放入origin作为纵坐标，以形变量作为横坐标求一阶导，即为对应的形变势常数

chenjs

同问，我计算二维形变势也和文献差别很大，而且有的二维材料文献参考能级取的芯能级，有的取真空能级，两种取法的差别也很大