能带计算问题
一直有一个疑惑:前面经过优化和自洽 后面算态密度和能带的时候是不是POSCAR不能再改变了?如果不能改变的前提下,为什么用vaspkit303计算K点时,需要cp PRIMCELL.vasp POSCAR?这不是结构变化了吗?
KPATH.in是基于PRIMCELL.vasp结构文件生成,所以需要cp PRIMCELL.vasp POSCAR。 可是如果此时的POSCAR被改变,从自洽计算的波函数和电荷密度不是失效了吗? 对。cp PRIMCELL.vasp POSCAR再进行自洽计算得到波函数和电荷密度,然后再进行能带计算。 可是PRIMCELL里面的晶格参数相对与原来的POSCAR相差太远了,那样还正确吗 由于部分高对称点依赖于基矢,而KPATH.in文件中的高对称点坐标是基于PRIMCELL.vasp文件里的结构产生的,因此需要执行cp PRIMCELL.vasp POSCAR。PRIMCELL.vasp和POSCAR只是晶格基矢不同,但结构是等价的。
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