VASP+VASPKIT基于玻尔兹曼输运理论计算输运性质
VASPKIT 1.3.1及以后版本支持基于半经验玻尔兹曼输运理论计算输运性质，当前版本可输出electronic conductivity, Seebeck coefficient, power factor 和electronic thermal conductivity。实现算法见文献【Computer Physics Communications 175 (2006) 67–71】。详细教程见http://vaspkit.cn/index.php/67.html。采用VASP+VASPKIT计算输运性质步骤如下：######################################################################################################
1) 准备优化好的POSCAR结构，POTCAR文件，静态计算INCAR;
2) 调用vaspkit -task 681产生KPOINTS，注意输运性质计算需要非常密集的K-mesh;
3) 执行VASP计算；
4) 准备VPKIT.in文件（VPKIT.in文件在未来版本中将被重名为INPUT.in），包含以下参数：
1 # 1 for gradient method with constant relaxation time approximation
3D # 2D for slab, 3D for bulk
-2.02.0 # Minimum and maximum values of chemical potential (float type, in units of eV), referenced to the Fermi energy
1000 # Number of intervals between the minimum and maximum chemical potential values
300.0 # Temperature (float type, in units of K)
1.0 # Relaxation time (float type, in units of s), Set 1.0 if you don't know the exact relaxation time
0.0 # Desired gap value in scissor correction (float type, in units of V), Zero means make no correction, available only non-spin-polarization calculation
1 # Finite difference method (integer type)
5) 调用vaspkit -task 682计算输运性质。
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作为验证我们选择Si和GaCuS2两个体系，计算结果与Openmx+BoltzTrap得到的结果符合很好（见下图）。欢迎大家跟帖反馈bug及提出改进建议，该功能今后将不断完善和扩充。
本帖最后由 binshao1991 于 2021-10-12 16:41 编辑
对比了下数量级，vaspkit处理出来的数据是自动乘上了弛豫时间了？在哪里指定的？还是说自动一起计算出来了，所以目前只能处理体材料的？ binshao1991 发表于 2021-10-12 16:37
对比了下数量级，vaspkit处理出来的数据是自动乘上了弛豫时间了？在哪里指定的？还是说自动一起计算出来 ...
VPKIT.in文件中第6行可以指定弛豫时间，默认为1，目前还不能计算弛豫时间，今后版本会考虑增加。 vaspkit 发表于 2021-10-12 16:44
VPKIT.in文件中第5行可以指定弛豫时间，默认为1，目前还不能计算弛豫时间，今后版本会考虑增加。 ...
请问这个计算是基于哪种模型？对于各向异性较强的结构准确性如何 1126191527 发表于 2021-10-13 10:29
请问这个计算是基于哪种模型？对于各向异性较强的结构准确性如何
实现算法见文献Computer Physics Communications 175 (2006) 67–71。该功能将在后期版本中不断改进和增强。 Carrier Mobility这个怎么处理？
1769915666 发表于 2021-10-14 09:52
Carrier Mobility这个怎么处理？
玻尔兹曼输运理论不涉及到Carrier Mobility计算。 我想请问，VASP计算得到的费米能不是一定的吗，为什么横坐标的化学势要取一个范围？ qwsy007 发表于 2021-10-14 13:01
我想请问，VASP计算得到的费米能不是一定的吗，为什么横坐标的化学势要取一个范围？ ...
对半导体材料进行p型掺杂费米能可低于价带顶，进行n型费米能级可高于导带底，因此化学势的变化范围可以反映掺杂浓度。 非常感谢这么好用的功能，但是发现个小问题，还请楼主修正下，期待能够改正这个bug。
Carrier concentration 貌似有问题，concentratoin为负数，并且是一个恒定的值。